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多孔式金メッキチャックトップウェーハ保持チャックトップ

本チャックトップは、溝吸着の代わりに3,000を超える密集吸引孔で保持し、裏面から通電するデバイスの試験に用います。

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多孔式金メッキチャックトップの俯瞰図：全面に3,000を超える密集吸引孔があり、溝はありません。右上は部分拡大
イメージ図 · 実機撮影ではありません

主要な数値

密集吸引孔
3,000+孔溝吸着に代わる方式
平坦度
5µm全面の指標
表面処理
金メッキ裏面導通と耐摩耗を両立
構造
溝なし全面接触

裏面から通電するため、全面で接触が必要

裏面から通電するデバイスの試験では、ウェーハとチャックトップの間に溝があってはなりません。本チャックトップは溝吸着の代わりに密集した吸引孔を用い、表面は金メッキで、全面の平坦度は5 µmです。

溝吸着の図：上は俯瞰図で、チャック面に溝がある。下は断面図で、溝の上にあるウェーハの部分は接触していない 溝 ウェーハ 非接触 真空
溝吸着溝の位置ではウェーハとチャックが接触せず、その領域は試験できません。
多孔吸着の図：上は俯瞰図で、全面に密集した吸引孔がある。下は断面図で、ウェーハ裏面が金メッキ面に全面で接触している 密集吸引孔 ウェーハ 全面接触 真空
多孔吸着 · 本製品3,000を超える密集吸引孔により、ウェーハ裏面が金メッキ面に全面で接触します。

イメージ図（縮尺は実物と異なります）。上は俯瞰図、下は断面図で、溝と孔の配置はイメージです。

適用分野

MOSFETの裏面導通試験

デバイス裏面がチャックと全面で導通する必要があり、溝の位置で接触が欠けます。その他のデバイスはサンプルで確認します。

既設機の消耗部品交換

稼働中のAPM90AおよびUF200シリーズのチャック交換で、装置全体の入れ替えは不要です。

接触不良の切り分け

不良が特定位置に集中する場合、まず保持面の平坦度と吸着の均一性を確認します。

稼働中のチャックトップの再生

チャックトップはプローバの消耗部品です。稼働中のものは、清掃、再めっき、平坦度の再測定により再生できます。

機種の確認から装着・検証まで

  1. 機種の確認APM90AかUF200シリーズかでチャックトップの寸法とインターフェースを確定します。シリーズ間で互換はありません。
  2. デバイスの確認裏面導通の方式と接触要件を確認し、孔径の分布とめっきは用途に応じて選びます。
  3. 製作と納入機種に合わせて製作します。真空面は個別に保護し、検査記録を添えます。
  4. 装着と検証現地で交換し、吸着の均一性と接触状態を再測定します。実測の接触結果によります。

仕様

仕様表をすべて表示（6項目）
項目仕様仕様・構成
吸引孔数3,000を超える密集吸引孔溝構造は用いません
表面処理金メッキ裏面導通と耐摩耗を両立
平坦度5 µm全面の指標
対応機種東京精密ACCRETECH APM90A、UF200、UF200A、UF200Rシリーズ機種寸法に合わせて製作、シリーズ間で互換なし
主な用途MOSFETなど裏面導通デバイスの試験その他はサンプルで確認
供給主体上海雯澜貿易商行装置本体の供給主体とは異なります

寿命、保持力、上限温度は資料に記載がなく、使用条件ごとに確認が必要です。記載のない指標は技術仕様書で取り決めます。

本文中のメーカー機種名は当社が対応可能な装置の範囲を示すためのものであり、メーカーによる許諾、認証または推奨を受けていることを示すものではありません。改造とオーバーホールは当社が実施し、相応の責任も当社が負います。チャックトップは上海雯澜貿易商行が供給します。

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